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半導(dǎo)體晶圓片和晶錠的電阻率測(cè)量電阻率是材料最重要的電參數(shù)之一。它是半導(dǎo)體器件(如太陽(yáng)能電池)性能的關(guān)鍵參數(shù)，并取決于材料的摻雜密度。因此，為了檢測(cè)摻雜密度的不均勻性，需要對(duì)電阻率進(jìn)行高精度、高分辨率的測(cè)量。使用德國(guó)freibergMDPmap和MDPingot，可以通過(guò)渦流測(cè)量高精度和分辨率為1毫米的方式來(lái)測(cè)量晶圓片或晶塊的電阻率。由于距離相關(guān)的內(nèi)部校準(zhǔn)矩陣，渦流傳感器有一個(gè)非常好的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。因此，每一個(gè)電阻率圖都是測(cè)量 -
少子壽命測(cè)試儀研究各種半導(dǎo)體材料、器件和介質(zhì)材料的電性能和缺陷我們新的MDP方法可以研究各種半導(dǎo)體材料、器件和介質(zhì)材料的電性能和缺陷。MDP是一種接觸少、無(wú)破壞的方法，因此不需要樣品制備。唯一的例外是對(duì)于大體積樣品性質(zhì)的研究，這時(shí)硅樣品的表面鈍化是必要的。樣品的形狀和尺寸沒(méi)有限制，從納米材料粉末到12英寸晶圓樣品都適用。顯然，市場(chǎng)上所有的半導(dǎo)體都可以被檢測(cè)。從各種電子級(jí)和多晶硅開(kāi)始，由于它的高靈敏度，甚至可以表征薄外延層和變形硅的質(zhì)量。對(duì)砷化鎵、InP、 -
少子壽命檢測(cè)在SiC領(lǐng)域的應(yīng)用近年來(lái)碳化硅材料的質(zhì)量有了很大的提高，在大功率器件中碳化硅已成為硅的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。由于碳化硅是一種寬帶隙半導(dǎo)體，與硅相比，它有許多優(yōu)點(diǎn)。少數(shù)載流子壽命是關(guān)系半導(dǎo)體器件性能的基本參數(shù)之一，特別是SiC在高壓器件中的應(yīng)用。因此，有必要進(jìn)行壽命檢測(cè)，以獲得某一器件的最佳性能。為了制造出最高成品率的SiC器件，需要一種具有高分辨率的材料表征方法，以及一種研究SiC缺陷來(lái)源的方法，以進(jìn)一步提高SiC器件的質(zhì)
