少子壽命測試儀研究各種半導體材料、器件和介質材料的電性能和缺陷
我們新的MDP方法可以研究各種半導體材料、器件和介質材料的電性能和缺陷。MDP是一種接觸少、無破壞的方法，因此不需要樣品制備。唯一的例外是對于大體積樣品性質的研究，這時硅樣品的表面鈍化是必要的。
樣品的形狀和尺寸沒有限制，從納米材料粉末到12英寸晶圓樣品都適用。
顯然，市場上所有的半導體都可以被檢測。從各種電子級和多晶硅開始，由于它的高靈敏度，甚至可以表征薄外延層和變形硅的質量。對砷化鎵、InP、碳化硅、氮化鎵、鍺等化合物半導體進行了研究。這個范圍還在不斷擴大。到目前為止，還沒有什么局限性。
了解更多詳情，請登陸弗萊貝格儀器（上海）有限公司中文網(wǎng)站：http://www.niaewft.com.cn/
樣品的形狀和尺寸沒有限制，從納米材料粉末到12英寸晶圓樣品都適用。
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