少數(shù)載流子壽命測(cè)試儀測(cè)定硅片中的鐵濃度
鐵含量的準(zhǔn)確測(cè)定是非常重要的，因?yàn)殍F是硅中含量最豐富也是最有害的缺陷之一。因此，有必要盡可能準(zhǔn)確和快速地測(cè)量鐵濃度，并具有非常高的分辨率，最好是在線測(cè)量。
使用德國(guó)Freiberg MDPingot和MDPmap系列，可以全自動(dòng)測(cè)量晶錠和晶片中的鐵濃度，并具有高分辨率。
鐵硼對(duì)解離前后的壽命測(cè)量是硅片鐵含量測(cè)定中廣泛應(yīng)用的方法。
在高摻雜濃度的硼摻雜硅中，當(dāng)它用于光伏應(yīng)用時(shí)，幾乎100%的電活性鐵以FeB對(duì)的形式存在。在有足夠能量的光的情況下，這些電子對(duì)可以在Fei和b中解離。這個(gè)過程是可逆的，一段時(shí)間后所有的FeB電子對(duì)都重新結(jié)合。FeB和Fei有不同的復(fù)合性能，因此解離對(duì)壽命有影響。在這種效果下，鐵的濃度可以通過以下方法確定:
鐵的測(cè)定使用校準(zhǔn)因子C，它取決于注入、摻雜濃度和陷阱濃度，特別是在多晶硅中必須考慮到這一點(diǎn)。MDP可以測(cè)定mc-和mono-Si的鐵濃度，具有較高的分辨率，也得益于模擬方法和多年的研究，使其具有較高的精度。
更多信息請(qǐng)參考：
[1] S. Rein and S. W. Glunz, Journal of Applied Physics 98 (2005).
[2] N.Schüler, T.Hahn, K. Dornich, J.R. Niklas, Solid State phenomena to be published
